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IRFBC30 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N - CHANNEL 600V - 1.8欧姆 - 3.6A - TO- 220的PowerMESH ] II MOSFET N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOSFET

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3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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IRFBC30 数据手册 (6 页)

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IRFBC30 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TO-220-3

漏源极电阻

2.20 Ω

极性

N-Channel

功耗

75 W

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.60 A

上升时间

14 ns

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

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IRFBC30 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

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IRFBC30 符合标准

IRFBC30 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

6 页 / 0.29 MByte

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