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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > IRF9Z34STRLPBF Datasheet 文档
IRF9Z34STRLPBF
0.508

IRF9Z34STRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
漏源极电阻
140 mΩ
极性
P-Channel
功耗
3.7 W
阈值电压
2V ~ 4V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
-18.0 A
上升时间
120 ns
输入电容值(Ciss)
1100pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.7 W
下降时间
58 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3700 mW

IRF9Z34STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
2000

IRF9Z34STRLPBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.2 MByte
VISHAY(威世)
12 页 / 0.25 MByte

IRF9Z34 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
Vishay Intertechnology
Kersemi Electronic
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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