IRFBG30

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IRFBG30 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRFBG30 数据手册 (9 页)

或点击图片查看大图

IRFBG30 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.00 kV

额定电流

3.10 A

漏源极电阻

5.00 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

漏源极电压(Vds)

1.00 kV

漏源击穿电压

1.00kV (min)

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.10 A

上升时间

25 ns

下降时间

20 ns

IRFBG30 符合标准

IRFBG30 数据手册

IRFBG30 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 1.59 MByte

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