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LF444CN/NOPB
器件3D模型
2.344
LF444CN/NOPB 数据手册 (18 页)
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LF444CN/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
14 Pin
工作电压
6V ~ 36V
封装
DIP-14
输出电流
8.00 mA
供电电流
600 µA
电路数
4 Circuit
通道数
4 Channel
针脚数
14 Position
功耗
0.67 W
共模抑制比
70 dB
输入补偿漂移
10.0 µV/K
带宽
1 MHz
转换速率
1.00 V/μs
增益频宽积
1 MHz
输入补偿电压
3 mV
输入偏置电流
10 pA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
增益带宽
1 MHz
耗散功率(Max)
670 mW
共模抑制比(Min)
70 dB
电源电压
6V ~ 36V

LF444CN/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
19.05 mm
宽度
6.35 mm
高度
3.3 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃

LF444CN/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
18 页 / 1.17 MByte
TI(德州仪器)
3 页 / 0.12 MByte
TI(德州仪器)
6 页 / 0.16 MByte
TI(德州仪器)
1 页 / 0.14 MByte

LF444 数据手册

TI(德州仪器)
四路低功耗 JFET 输入运算放大器
National Semiconductor(美国国家半导体)
四路低功耗JFET输入运算放大器 Quad Low Power JFET Input Operational Amplifier
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF444CN/NOPB.  四路运算放大器
TI(德州仪器)
LF444四路低功耗JFET输入运算放大器 LF444 Quad Low Power JFET Input Operational Ampli
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF444CM/NOPB  运算放大器, 四路, 1 MHz, 4个放大器, 1 V/µs, 6V 至 36V, SOIC, 14 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF444ACN/NOPB  运算放大器, 四路, 1 MHz, 4个放大器, 1 V/µs, 6V 至 44V, DIP, 14 引脚
TI(德州仪器)
LF444四路低功耗JFET输入运算放大器 LF444 Quad Low Power JFET Input Operational Ampli
TI(德州仪器)
四路低功耗 JFET 输入运算放大器 14-CDIP SB -55 to 125
National Semiconductor(美国国家半导体)
FET输入运放/LF444CN 管装
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF444CN  运算放大器, 四路, 1 MHz, 4个放大器, 1 V/µs, 6V 至 36V, DIP, 14 引脚
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