器件3D模型

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NTA4001NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-75-3

描述:

N 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTA4001NT1G 数据手册 (2 页)

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NTA4001NT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

238 mA

封装

SC-75-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

栅源击穿电压

±10.0 V

连续漏极电流(Ids)

238 mA

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

20pF @5V(Vds)

额定功率(Max)

300 mW

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

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NTA4001NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.65 mm

宽度

0.9 mm

高度

0.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTA4001NT1G 符合标准

NTA4001NT1G 海关信息

NTA4001NT1G 概述

NTA4001NT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.19 MByte

NTA4001NT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.18 MByte

NTA4001NT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.04 MByte

NTA4001NT1G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.15 MByte

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小信号MOSFET 20 V 238 mA时，单N通道，门ESD保护， SC- 75 Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N−Channel, Gate ESD Protection, SC−75

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