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IRFH7085TRPBF
0.585
IRFH7085TRPBF 数据手册 (11 页)
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IRFH7085TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
QFN-8
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0026 Ω
极性
N-Channel
功耗
156 W
阈值电压
3.7 V
输入电容
6460 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
23A
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
6460pF @25V(Vds)
下降时间
23 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
156W (Tc)

IRFH7085TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.15 mm
宽度
5.15 mm
高度
0.85 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFH7085TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.49 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.12 MByte

IRFH7085 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFH7085TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3.7 V
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