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IRFH8318TRPBF
0.183
IRFH8318TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRFH8318TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerTDFN-8
额定功率
59 W
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0025 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.6 W
阈值电压
1.8 V
输入电容
3180 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
27A
上升时间
33 ns
输入电容值(Ciss)
3180pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
3.6 W
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.6W (Ta), 59W (Tc)

IRFH8318TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6 mm
宽度
5 mm
高度
0.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFH8318TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.23 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte

IRFH8318 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
IRFH8318TRPBF 编带
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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