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IRF5801TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

INFINEON IRF5801TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 2.2 ohm, 10 V, 5.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF5801TRPBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRF5801TRPBF 数据手册 (8 页)

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IRF5801TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

额定功率

2 W

针脚数

6 Position

漏源极电阻

2.2 Ω

极性

N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

5.5 V

输入电容

88 pF

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

0.6A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

88pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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IRF5801TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.5 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF5801TRPBF 符合标准

IRF5801TRPBF 概述

IRF5801TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.14 MByte

IRF5801TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF5801TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF5801TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF5801TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF5801TRPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IRF5801 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF5801TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRF5801TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 2.2 ohm, 10 V, 5.5 V

IRF5801TRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF5801TRPBF N沟道MOSFET 600mA/0.6A SOT-163/TSOP-6 marking/标记低漏源导通电阻

Infineon（英飞凌）

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International Rectifier（国际整流器）

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