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IRFI4019H-117P
0.733
IRFI4019H-117P 数据手册 (8 页)
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IRFI4019H-117P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
5 Pin
封装
TO-220-5
额定功率
18 W
通道数
2 Channel
针脚数
5 Position
漏源极电阻
0.08 Ω
极性
N-Channel
功耗
18 W
阈值电压
4.9 V
输入电容
810 pF
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
连续漏极电流(Ids)
8.7A
上升时间
6.6 ns
热阻
65℃/W (RθJA)
输入电容值(Ciss)
810pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
18 W
下降时间
3.1 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
18000 mW

IRFI4019H-117P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.63 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFI4019H-117P 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.19 MByte

IRFI4019H117 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFI4019H-117P  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 150 V, 80 mohm, 10 V, 4.9 V
International Rectifier(国际整流器)
TO-220-5 整包
Infineon(英飞凌)
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