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IRFI540NPBF
0.513
IRFI540NPBF 数据手册 (9 页)
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IRFI540NPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
42 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.052 Ω
极性
N-Channel
功耗
42 W
阈值电压
4 V
输入电容
1400 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
39 ns
输入电容值(Ciss)
1400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
54 W
下降时间
33 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
54W (Tc)

IRFI540NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.63 mm
宽度
4.4 mm
高度
8.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFI540NPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.06 MByte

IRFI540 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFI540NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFI540NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 20A, TO-220FP 新
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFI540GPBF  场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Infineon(英飞凌)
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