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IRFL4310PBF
0.087
IRFL4310PBF 数据手册 (9 页)
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IRFL4310PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
额定功率
2.1 W
通道数
1 Channel
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.2 Ω
极性
N-CH
功耗
2.1 W
阈值电压
2 V
输入电容
330pF @25V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
2.2A
上升时间
18 ns
输入电容值(Ciss)
330pF @25V(Vds)
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1W (Ta)

IRFL4310PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFL4310PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.68 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.64 MByte

IRFL4310 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFL4310TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
场效应管, MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFL4310PBF  场效应管, MOSFET, N
International Rectifier(国际整流器)
IRFL4310TR N沟道MOSFET 2.2A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 FL4310 低栅极电荷/极低的RDS/高功率和电流绫能力
Infineon(英飞凌)
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