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FDC602P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC602P 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.5 A, -20 V, 35 mohm, -4.5 V, -900 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDC602P 数据手册 (6 页)

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FDC602P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-5.50 A

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.035 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.6 W

输入电容

1.46 nF

栅电荷

14.0 nC

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

-20.0 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

-5.50 A

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

1456pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.6W (Ta)

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FDC602P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDC602P 符合标准

FDC602P 海关信息

FDC602P 概述

FDC602P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.13 MByte

FDC602P 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.09 MByte

FDC602P 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.04 MByte

FDC602P 开发手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 1.89 MByte

FDC602P 产品描述及参数

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.06 MByte

FDC602P 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.21 MByte

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Fairchild（飞兆/仙童）

P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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