FQD8P10TM

￥ 0.26

FQD8P10TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD8P10TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -6.6 A, -100 V, 0.41 ohm, -10 V, -4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQD8P10TM 数据手册 (2 页)

FQD8P10TM 数据手册 (2 页)

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FQD8P10TM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-100 V

额定电流

-6.60 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.41 Ω

极性

P-Channel

功耗

44 W

漏源极电压(Vds)

100 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.60 A

上升时间

110 ns

输入电容值(Ciss)

470pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

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FQD8P10TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.1 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQD8P10TM 符合标准

FQD8P10TM 海关信息

FQD8P10TM 数据手册

FQD8P10TM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

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FQD8P10TM 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

54 页 / 1.51 MByte

FQD8P10TM 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.87 MByte

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增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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