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IRFP064PBF
2.089
IRFP064PBF 数据手册 (3 页)
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IRFP064PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
70.0 A
封装
TO-247-3
额定功率
200 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.009 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
4 V
输入电容
7400pF @25V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
70.0 A
上升时间
190 ns
输入电容值(Ciss)
7400pF @25V(Vds)
下降时间
190 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 W

IRFP064PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.82 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFP064PBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
3 页 / 0.75 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 1.64 MByte

IRFP064 数据手册

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VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 0.009ohm ,ID = 70 * A) Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFP064NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFP064NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 110A, TO-247AC 新
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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