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IRFP140N
2.036
IRFP140N 数据手册 (9 页)
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IRFP140N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
100 V
额定电流
27.0 A
封装
TO-247-3
极性
N-Channel
功耗
140W (Tc)
零部件系列
IRFP140N
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100V (min)
连续漏极电流(Ids)
33.0 A
上升时间
39.0 ns
输入电容值(Ciss)
1400pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
140W (Tc)

IRFP140N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFP140N 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte

IRFP140 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
31A , 100V , 0.077 Ohm的N通道功率MOSFET 31A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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