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IRFBC30STRLPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFBC30STRLPBF 数据手册 (11 页)

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IRFBC30STRLPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-252-3

漏源极电阻

2.2 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.1 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

3.60 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

660pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.1 W

下降时间

14 ns

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IRFBC30STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

2000

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IRFBC30STRLPBF 符合标准

IRFBC30STRLPBF 数据手册

VISHAY（威世）

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