￥ 1.822

IRFP2907ZPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

INFINEON IRFP2907ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFP2907ZPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在9 页

IRFP2907ZPBF 数据手册 (9 页)

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IRFP2907ZPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定功率

310 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0045 Ω

极性

N-Channel

功耗

310 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

75 V

漏源击穿电压

75 V

连续漏极电流(Ids)

170A

上升时间

140 ns

输入电容值(Ciss)

7500pF @25V(Vds)

下降时间

100 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

310W (Tc)

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IRFP2907ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.9 mm

宽度

5.3 mm

高度

20.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFP2907ZPBF 符合标准

IRFP2907ZPBF 概述

IRFP2907ZPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.26 MByte

IRFP2907ZPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFP2907ZPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFP2907ZPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFP2907ZPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFP2907ZPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IRFP2907ZPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.05 MByte

IRFP2907ZPBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.12 MByte

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IRF

功率MOSFET （ VDSS = 75V ， RDS（ON） = 4.5mohm ，ID = 209A ） Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=4.5mohm, Id=209A)

IRFP2907PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRFP2907PBF 晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 209 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V

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INFINEON IRFP2907ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V

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