器件3D模型

￥ 2.02

L6386ED013TR 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-14

描述:

MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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L6386ED013TR 数据手册 (19 页)

引脚图在5 页Hot

封装尺寸在14 页 15 页 16 页

原理图在3 页

L6386ED013TR 数据手册 (19 页)

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L6386ED013TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

0.4 MHz

引脚数

14 Pin

封装

SOIC-14

上升/下降时间

50ns, 30ns

输出接口数

2 Output

功耗

0.75 W

上升时间

50 ns

输出电流(Max)

0.65 A

下降时间

30 ns

下降时间(Max)

30 ns

上升时间(Max)

50 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

750 mW

电源电压

17 V

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L6386ED013TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

8.75 mm

宽度

4 mm

高度

1.65 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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L6386ED013TR 符合标准

L6386ED013TR 海关信息

L6386ED013TR 概述

L6386ED013TR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.39 MByte

L6386ED013TR 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

68 页 / 3.38 MByte

L6386ED013TR 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

43 页 / 2.08 MByte

L6386ED013TR 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.7 MByte

L6386ED013 数据手册

L6386ED013TR 数据手册

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