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BU406TU
0.249
BU406TU 数据手册 (5 页)
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BU406TU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
10 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
150 V
额定电流
7.00 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
60 W
击穿电压(集电极-发射极)
200 V
集电极最大允许电流
7A
额定功率(Max)
60 W
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
60 W

BU406TU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
9.9 mm
宽度
4.5 mm
高度
9.2 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BU406TU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.25 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.55 MByte

BU406 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BU406 .  双极性晶体管, NPN, 200V, TO-220
ST Microelectronics(意法半导体)
硅NPN开关晶体管 SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR
Multicomp
MULTICOMP  BU406  单晶体管 双极, NPN, 200 V, 10 MHz, 60 W, 7 A, 30 hFE
UTC(友顺)
NPN平面晶体管 NPN硅开关晶体管
Motorola(摩托罗拉)
Central Semiconductor
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 400Vcbo 400Vces 200Vceo 60W
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
Freescale(飞思卡尔)
Continental Device
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