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IRFP7530PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

INFINEON IRFP7530PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFP7530PBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

IRFP7530PBF 数据手册 (10 页)

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IRFP7530PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定功率

341 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.00165 Ω

极性

N-Channel

功耗

341 W

阈值电压

3.7 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

281A

上升时间

141 ns

输入电容值(Ciss)

13703pF @25V(Vds)

下降时间

104 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

341W (Tc)

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IRFP7530PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.87 mm

宽度

5.31 mm

高度

20.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFP7530PBF 符合标准

IRFP7530PBF 概述

IRFP7530PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.52 MByte

IRFP7530PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFP7530PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFP7530PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFP7530PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFP7530PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.07 MByte

IRFP7530 数据手册

Infineon（英飞凌）

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INFINEON IRFP7530PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

IRFP7530PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

StrongIRFET™ 功率 MOSFET，InfineonInfineon 的 **StrongIRFE** 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

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