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IRLHM620TRPBF
0.344
IRLHM620TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRLHM620TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
3X3-8
额定功率
2.7 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.002 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.7 W
阈值电压
800 mV
输入电容
3620 pF
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
26A
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
3620pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
2.7 W
下降时间
37 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)

IRLHM620TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.3 mm
宽度
3.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLHM620TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.07 MByte

IRLHM620 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLHM620TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 40A, 8-PQFN
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLHM620TR2PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 20 V, 2 mohm, 4.5 V, 800 mV
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