Web Analytics
Datasheet 搜索 > 中高压MOS管 > Vishay Semiconductor(威世) > IRFPC50LCPBF Datasheet 文档
IRFPC50LCPBF
2.518
IRFPC50LCPBF 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFPC50LCPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247
针脚数
3 Position
漏源极电阻
600 mΩ
极性
N-Channel
功耗
190 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
11.0 A
上升时间
32 ns
输入电容值(Ciss)
2300pF @25V(Vds)
下降时间
26 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
190 W

IRFPC50LCPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRFPC50LCPBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
10 页 / 0.59 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
20 页 / 2.6 MByte

IRFPC50 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPC50PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,600V,11A,600mΩ@10V
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPC50LCPBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 2 V
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRFPC50 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z