￥ 1.432

IRFPC50PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-247

描述:

VISHAY IRFPC50PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFPC50PBF 数据手册 (3 页)

封装尺寸在3 页

IRFPC50PBF 数据手册 (3 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRFPC50PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

11.0 A

封装

TO-247

额定功率

180 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.6 Ω

极性

N-Channel

功耗

180 W

阈值电压

4 V

输入电容

2700pF @25V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A

上升时间

37 ns

输入电容值(Ciss)

2700pF @25V(Vds)

下降时间

36 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

180 W

查看数据手册 >

IRFPC50PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

15.87 mm

宽度

5.31 mm

高度

20.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

IRFPC50PBF 符合标准

IRFPC50PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

3 页 / 0.79 MByte

IRFPC50PBF 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

20 页 / 2.6 MByte

IRFPC50PBF 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

2 页 / 0.2 MByte

IRFPC50 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFPC50 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFPC50 数据手册

Vishay Siliconix

IRFPC50 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFPC50PBF 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFPC50APBF 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFPC50PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY IRFPC50PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 4 V

IRFPC50PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道,600V,11A,600mΩ@10V

IRFPC50APBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

IRFPC50LCPBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY IRFPC50LCPBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 2 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号