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IRFPC50A
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IRFPC50A 数据手册 (9 页)
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IRFPC50A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
600 V
额定电流
11.0 A
极性
N-Channel
功耗
180 W
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
11.0 A
上升时间
40.0 ns

IRFPC50A 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.18 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.09 MByte

IRFPC50 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPC50PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,600V,11A,600mΩ@10V
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPC50LCPBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 2 V
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