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IRFPE40PBF
2.581
IRFPE40PBF 数据手册 (9 页)
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IRFPE40PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
功耗
150W (Tc)
输入电容值(Ciss)
1900pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
150W (Tc)

IRFPE40PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFPE40PBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.78 MByte

IRFPE40 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 800V , RDS(ON) = 2.0ohm ,ID = 5.4A ) Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.4A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,800V,5.4A,2Ω@10V
Vishay Siliconix
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