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IRFPS37N50A
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IRFPS37N50A 数据手册 (8 页)
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IRFPS37N50A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
500 V
额定电流
36.0 A
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
36.0 A
上升时间
98.0 ns

IRFPS37N50A 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.14 MByte

IRFPS37N50 数据手册

IRF
功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON)最大值= 0.13ohm ,ID = 36A ) Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.13ohm, Id=36A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPS37N50APBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 500 V, 130 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,500V,36A,130mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
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