￥ 2.073

STF22NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STF22NM60ND 数据手册 (13 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STF22NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

1800pF @50V(Vds)

下降时间

48 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

30000 mW

STF22NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

STF22NM60ND 符合标准

STF22NM60ND 数据手册

STF22NM60ND 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.76 MByte

STF22NM60 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 0.19欧姆 - 22A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 MOSFET MDmesh⑩Power N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 MDmesh⑩Power MOSFET

STF22NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STF22NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V

STF22NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号