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IRFPS37N50APBF
4.084
IRFPS37N50APBF 数据手册 (9 页)
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IRFPS37N50APBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
SUPER-247
功耗
446000 mW
上升时间
98 ns
输入电容值(Ciss)
5579pF @25V(Vds)
下降时间
80 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
446W (Tc)

IRFPS37N50APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFPS37N50APBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.17 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.12 MByte

IRFPS37N50 数据手册

IRF
功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON)最大值= 0.13ohm ,ID = 36A ) Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.13ohm, Id=36A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPS37N50APBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 500 V, 130 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,500V,36A,130mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
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