￥ 0.065

IRFR120N 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFR120N 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRFR120N 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRFR120N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

9.10 A

封装

TO-252

极性

N-Channel

功耗

39.0 W

零部件系列

IRFR120N

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100V (min)

连续漏极电流(Ids)

9.40 A

上升时间

23 ns

正向电压(Max)

1.3 V

输入电容值(Ciss)

330pF @25V(Vds)

下降时间

23 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

48000 mW

查看数据手册 >

IRFR120N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

查看数据手册 >

IRFR120N 符合标准

IRFR120N 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.14 MByte

IRFR120N 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFR120N 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFR120N 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFR120 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFR120 数据手册

Vishay Siliconix

IRFR120 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道 100V 7.7A

IRFR120 数据手册

Intersil（英特矽尔）

8.4A ， 100V ， 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET 8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRFR120 数据手册

VISHAY（威世）

IRFR120 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

IRFR120 数据手册

Vishay Intertechnology

IRFR120 数据手册

Harris

IRFR120 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRFR120 数据手册

Samsung（三星）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号