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IRFR120 数据手册

型号系列:
IRFR120 系列
分类:
MOS管
更新于: 2023/01/13 02:35:26 (UTC + 8)

IRFR120 MOS管 数据手册

#1
IRFR1205PBF

IRFR1205PBF

数据手册 (16 )
3.2
Infineon(英飞凌)
#2
IRFR120ZTRPBF

IRFR120ZTRPBF

数据手册 (14 )
3.7
Infineon(英飞凌)
#3
IRFR1205TRPBF

IRFR1205TRPBF

数据手册 (12 )
5.1
Infineon(英飞凌)
#4
IRFR120NTRPBF

IRFR120NTRPBF

数据手册 (12 )
4.8
Infineon(英飞凌)

IRFR120 数据手册 MOS管

12
International Rectifier(国际整流器)
100V,9.4A,单N沟道HEXFET功率MOSFET
12
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR120NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.1 A, 100 V, 210 mohm, 10 V, 4 V
12
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
12
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR120ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 100 V, 190 mohm, 10 V, 4 V
12
International Rectifier(国际整流器)
12
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
12
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 100V 9.4A
12
International Rectifier(国际整流器)
55V,0.027Ω,44A,N沟道功率MOSFET
12
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,Vdss=100V,Idss=8.7A
12
Infineon(英飞凌)
N沟道 55V 44A
12
Vishay Siliconix
12
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 100V 7.7A
12
Intersil(英特矽尔)
8.4A , 100V , 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET 8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
11
VISHAY(威世)
11
International Rectifier(国际整流器)
8
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET

IRFR120 - Vishay Siliconix 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252-3
功耗
2.5W (Ta), 42W (Tc)
漏源极电压(Vds)
100 V
输入电容值(Ciss)
360pF @25V(Vds)
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