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QS6M4TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.5 A, 20 V, 0.36 ohm, 4.5 V, 1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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QS6M4TR 数据手册 (6 页)

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QS6M4TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电流

1.50 A

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.36 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

1.25 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

30V, 20V

连续漏极电流(Ids)

1.50 A

上升时间

12.0 ns

输入电容值(Ciss)

80pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1250 mW

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QS6M4TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

高度

0.95 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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QS6M4TR 符合标准

QS6M4TR 概述

QS6M4TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

6 页 / 0.1 MByte

QS6M4TR 其他数据使用手册

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1 页 / 0.14 MByte

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.5 A, 20 V, 0.36 ohm, 4.5 V, 1.5 V

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