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IRFR5305TRLPBF
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IRFR5305TRLPBF数据手册
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IRFR/U5305
www.irf.com 5
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
Fig 10b. Switching Time Waveforms
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
DS
-10V
Pulse Width ≤ 1 µs
Duty Factor ≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
+
-
25 50 75 100 125 150 175
0
5
10
15
20
25
30
35
T , Case Temperature ( C)
-I , Drain Current (A)
°
C
D
0.01
0.1
1
10
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P x Z + T
1 2
J DM thJC C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
Thermal Response (Z )
1
thJC
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)

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INFINEON  IRFR5305TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V
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Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR5305PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V
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