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IRFS4229TRLPBF 数据手册 - International Rectifier（国际整流器）
制造商:
International Rectifier（国际整流器）
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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IRFS4229TRLPBF数据手册
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IRFS4229PbF
www.irf.com 5
Fig 17. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 15. Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 14. Maximum Avalanche Energy Vs. Temperature
Fig 13. On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 16. Typical Repetitive peak Current vs.
Case temperature
5 6 7 8 9 10
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
a
n
c
e
(
Ω
)
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
D
= 26A
25 50 75 100 125 150 175
Starting T
J
, Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
E
A
S
,
S
i
n
g
l
e
P
u
l
s
e
A
v
a
l
a
n
c
h
e
E
n
e
r
g
y
(
m
J
)
I
D
TOP
7.4A
13A
BOTTOM
26A
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
T
J
, Temperature ( °C )
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
G
S
(
t
h
)
G
a
t
e
t
h
r
e
s
h
o
l
d
V
o
l
t
a
g
e
(
V
)
I
D
= 250µA
1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1
t
1
, Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
T
h
e
r
m
a
l
R
e
s
p
o
n
s
e
(
Z
t
h
J
C
)
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
25 50 75 100 125 150 175
Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
R
e
p
e
t
i
t
i
v
e
P
e
a
k
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
ton= 1µs
Duty cycle = 0.25
Half Sine Wave
Square Pulse
Ri (°C/W)
τι
(sec)
0.080717 0.000052
0.209555 0.001021
0.159883 0.007276
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci= τi/Ri
Ci= τi/Ri
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