IRG4PSH71UDPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

绝缘栅双极晶体管（ VCES = 1200V ，的VCE（on ）典型值= 2.97V ， @ VGE = 15V ， IC = 42A ） INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)

Co-Pack IGBT 超过 21A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。

INFINEON  IRG4PSH71KDPBF  单晶体管, IGBT, 78 A, 3.9 V, 350 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚

INFINEON  IRG4PSH71KPBF  单晶体管, IGBT, 78 A, 3.9 V, 350 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚