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KSC5027OTU
0.397
KSC5027OTU 数据手册 (5 页)
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KSC5027OTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
15 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
800 V
额定电流
3.00 A
封装
TO-220-3
极性
NPN
功耗
50 W
集电极击穿电压
1.10 kV
击穿电压(集电极-发射极)
800 V
集电极最大允许电流
3A
最小电流放大倍数
20 @200mA, 5V
额定功率(Max)
50 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
50000 mW

KSC5027OTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
9.9 mm
宽度
4.5 mm
高度
18.95 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSC5027OTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.05 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.05 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

KSC5027 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
高电压和高可靠性 High Voltage and High Reliability
Freescale(飞思卡尔)
Samsung(三星)
ON Semiconductor(安森美)
Inchange Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSC5027OTU , NPN 晶体管, 3 A, Vce=800 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-220封装
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
高电压和高可靠性 High Voltage and High Reliability
Fairchild(飞兆/仙童)
高电压和高可靠性 High Voltage and High Reliability
Freescale(飞思卡尔)
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