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IRL2910PBF
0.88
IRL2910PBF 数据手册 (9 页)
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IRL2910PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
200 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.026 Ω
极性
N-Channel
功耗
200 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
55A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
3700pF @25V(Vds)
下降时间
55 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200W (Tc)

IRL2910PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
高度
8.77 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRL2910PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 1.5 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.04 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

IRL2910 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N沟道 100V 55A
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL2910SPBF..  晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 100 V, 26 mohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRL2910PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 55A, TO-220AB 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
55A,100V,单N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRL2910STRRPBF D2PAK
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