￥ 3.078

IRL2910LPBF 数据手册 - International Rectifier（国际整流器）

制造商:

International Rectifier（国际整流器）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRL2910LPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRL2910LPBF 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRL2910LPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

55.0 A

封装

TO-262-3

额定功率

190 W

极性

N-Channel

功耗

190 W

零部件系列

IRL2910L

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

55.0 A

上升时间

100 ns

输入电容值(Ciss)

3700pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.8 W

查看数据手册 >

IRL2910LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

查看数据手册 >

IRL2910LPBF 符合标准

IRL2910LPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

11 页 / 0.66 MByte

IRL2910 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRL2910 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 100V 55A

IRL2910 数据手册

IRF

HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET

IRL2910PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

IRL2910STRLPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

IRL2910SPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRL2910SPBF.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 100 V, 26 mohm, 10 V, 2 V

IRL2910PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

INTERNATIONAL RECTIFIER IRL2910PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 55A, TO-220AB 新

IRL2910STRLPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRL2910SPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

55A,100V,单N沟道功率MOSFET

IRL2910STRRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IRL2910STRRPBF D2PAK

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号