IRL640

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IRL640 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRL640 数据手册 (8 页)

IRL640 数据手册 (8 页)

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IRL640 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

17.0 A

封装

TO-220

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V (max)

连续漏极电流(Ids)

17.0 A

上升时间

83 ns

输入电容值(Ciss)

1800pF @25V(Vds)

下降时间

52 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125000 mW

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IRL640 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

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IRL640 符合标准

IRL640 数据手册

IRL640 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 1.62 MByte

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VISHAY（威世）

8 页 / 0.24 MByte

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