￥ 0.616

IRL640SPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-263

描述:

N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRL640SPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRL640SPBF 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRL640SPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.18 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

17.0 A

上升时间

83 ns

输入电容值(Ciss)

1800pF @25V(Vds)

下降时间

52 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1 W

查看数据手册 >

IRL640SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

IRL640SPBF 符合标准

IRL640SPBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.89 MByte

IRL640SPBF 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

3 页 / 0.06 MByte

IRL640 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRL640 数据手册

Vishay Siliconix

IRL640 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRL640 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRL640 数据手册

Vishay Intertechnology

IRL640 数据手册

Samsung（三星）

IRL640 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

IRL640 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

IRL640 数据手册

IRF

HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET

IRL640PBF 数据手册

VISHAY（威世）

N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号