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IRL7833S
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IRL7833S 数据手册 (13 页)
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IRL7833S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
极性
N-CH
功耗
140W (Tc)
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
150A
输入电容值(Ciss)
4170pF @15V(Vds)
耗散功率(Max)
140W (Tc)

IRL7833S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRL7833S 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 3.97 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRL7833 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL7833PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 30 V, 3.8 mohm, 10 V, 2.3 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL7833SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 30 V, 3.8 mohm, 10 V, 2.3 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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