Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRL7833STRRPBF Datasheet 文档
IRL7833STRRPBF
0.63
IRL7833STRRPBF 数据手册 (13 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRL7833STRRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
极性
N-Channel
功耗
140 W
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
150 A
上升时间
50 ns
输入电容值(Ciss)
4170pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
140 W
下降时间
6.9 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
140W (Tc)

IRL7833STRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRL7833STRRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.14 MByte

IRL7833 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL7833PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 30 V, 3.8 mohm, 10 V, 2.3 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL7833SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 30 V, 3.8 mohm, 10 V, 2.3 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRL7833 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z