￥ 0.283

IRLB4132PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRLB4132PBF 数据手册 (9 页)

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IRLB4132PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0025 Ω

极性

N-CH

功耗

140 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

150A

上升时间

92 ns

输入电容值(Ciss)

5110pF @15V(Vds)

下降时间

36 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

140W (Tc)

IRLB4132PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

材质

Silicon

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLB4132PBF 符合标准

IRLB4132PBF 数据手册

IRLB4132PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.24 MByte

IRLB4132PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLB4132PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.19 MByte

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