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IRF7509TRPBF
0.278
IRF7509TRPBF 数据手册 (8 页)
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IRF7509TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
Micro-8
额定功率
1.25 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.11 Ω
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
1.25 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
2.7A/2A
输入电容值(Ciss)
210pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.25 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.25 W

IRF7509TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
3 mm
高度
0.86 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7509TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.23 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.68 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IRF7509 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = + - 30V ) Power MOSFET(Vdss=+-30V)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7509TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.7 A, 30 V, 110 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7509PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.7 A, 30 V, 110 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
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