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IRLIZ34NPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
INFINEON IRLIZ34NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 55 V, 35 mohm, 10 V, 2 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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封装尺寸在P8
标记信息在P8
技术参数、封装参数在P1
电气规格在P2
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IRLIZ34NPBF数据手册
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IRLIZ34N
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
V
DS
L
D.U.T.
V
DD
I
AS
t
p
0.01Ω
R
G
+
-
t
p
V
DS
I
AS
V
DD
V
(BR)DSS
5.0 V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3µF
50KΩ
.2µF
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
0
50
100
150
200
250
25 50 75 100 125 150 175
J
E , Single Pulse Avalanche Energy (mJ)
AS
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 6.6A
11A
BOTTOM 16A
DD
D
5.0 V
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