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IRLL110TRPBF
0.252
IRLL110TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRLL110TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
额定功率
3.1 W
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.54 Ω
极性
N-Channel
功耗
2 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
1.50 A
上升时间
47 ns
输入电容值(Ciss)
250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
18 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.1 W

IRLL110TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2500

IRLL110TRPBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.34 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 0.34 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 0.58 MByte
VISHAY(威世)
6 页 / 0.11 MByte

IRLL110 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(ON) = 0.54ohm ,ID = 1.5A ) Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.5A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRLL110TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 27W, SOT-223
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRLL110PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V
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