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IRLR024ZTRPBF
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IRLR024ZTRPBF 数据手册 (11 页)
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IRLR024ZTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
DPAK-252
极性
N-Channel
功耗
35 W
漏源极电压(Vds)
55.0 V
连续漏极电流(Ids)
16.0 mA

IRLR024ZTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)

IRLR024ZTRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.32 MByte

IRLR024 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLR024NTRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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