IRS2001STRPBF

器件3D模型

￥ 0.544

IRS2001STRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRS2001STRPBF 数据手册 (15 页)

封装尺寸在13 页

典型应用电路图在1 页

原理图在4 页

IRS2001STRPBF 数据手册 (15 页)

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IRS2001STRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电源电压

10.0V (min)

工作电压

10V ~ 20V

封装

SOIC-8

上升/下降时间

70ns, 35ns

输出接口数

2 Output

输出电流

290 mA

功耗

625 mW

静态电流

270 µA

上升时间

70 ns

下降时间

35 ns

下降时间(Max)

60 ns

上升时间(Max)

100 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

电源电压

10V ~ 20V

电源电压(Max)

20 V

电源电压(Min)

10 V

查看数据手册 >

IRS2001STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Discontinued at Digi-Key

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRS2001STRPBF 符合标准

IRS2001STRPBF 海关信息

IRS2001STRPBF 概述

IRS2001STRPBF 数据手册

IRS2001STRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 0.23 MByte

IRS2001STRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

48 页 / 7.29 MByte

IRS2001STRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IRS2001STRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.41 MByte

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INFINEON IRS2001SPBF.. 双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 600mA输出, 150ns延迟, SOIC-8

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Infineon（英飞凌）

INFINEON IRS2001PBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 600mA输出, 150ns延迟, DIP-8

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