IXBH9N160G

￥ 0.826

IXBH9N160G 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXBH9N160G 数据手册 (4 页)

IXBH9N160G 数据手册 (4 页)

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IXBH9N160G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定功率

100 W

功耗

100000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

1600 V

额定功率(Max)

100 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

100000 mW

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IXBH9N160G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXBH9N160G 符合标准

IXBH9N160G 海关信息

IXBH9N160G 概述

IXBH9N160G 数据手册

IXBH9N160G 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.07 MByte

IXBH9N160G 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

1 页 / 0.6 MByte

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