￥ 1.227

IXFB70N60Q2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-264-3

描述:

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFB70N60Q2 数据手册 (4 页)

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IXFB70N60Q2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

80 mΩ

功耗

890 W

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

7200pF @25V(Vds)

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

890W (Tc)

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IXFB70N60Q2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

20.29 mm

宽度

5.31 mm

高度

26.59 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFB70N60Q2 符合标准

IXFB70N60Q2 概述

IXFB70N60Q2 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.12 MByte

IXFB70N60Q2 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.12 MByte

IXFB70N60 数据手册

IXFB70N60Q2 数据手册

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