IXFH20N60

￥ 10.26

IXFH20N60 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 350 mohm, 10 V, 4.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFH20N60 数据手册 (5 页)

IXFH20N60 数据手册 (5 页)

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IXFH20N60 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

20.0 A

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

350 mΩ

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

4.5 V

输入电容

3.30 nF

栅电荷

90.0 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

300 V

连续漏极电流(Ids)

20.0 A

上升时间

43 ns

输入电容值(Ciss)

4500pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IXFH20N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Bulk

材质

Silicon

重量

6 g

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFH20N60 符合标准

IXFH20N60 数据手册

IXFH20N60 数据手册

IXYS Semiconductor

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